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三星电子开始大批量生产 18-纳米 D-RAM

  • 来源:电脑问题网
  • 作者:DIY资讯
  • 审核:志强网络科技有限公司
  • 时间:2016-03-30 22:13
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  电脑问题网-DIY资讯 三星电子已超过牢不可破屏障的 D RAM 精细加工技术和开始大规模 10 纳米范围 D RAM 第一次生产在世界。其他国内和国外的竞争对手还没有提高其前端 20 纳米 D RAM 作为主要的进程。三星电子正开始大批量生产 10 纳米范围 D RAM,专家认为,从美国三星电子和微米之间的技术差距差异已扩大了 2 年以上。虽然 D RAM 的价格继续下降的趋势,由于消除对 Pc 和智能手机业务增长缓慢的需求增长,三星电子预计记录利润的比例,是远远超过其竞争对手的减少通过转换过程的生产成本。
 
  据业内人士 27 日,三星电子近来已开始大批量生产 D RAM 具有 18 纳米电路宽度。这 D RAM 是广泛使用 D RAM 将早就安装在个人电脑中。三星电子已通过特性测试的主要客户和已经完成了提供特殊用品。通过慢慢地增加 18 纳米 D RAM 的比例,三星电子要开始生产 D-公羊为服务器和具有高附加值的手机。为了增加比例,三星电子计划不久订货生产设备从其国内和国外的合作伙伴。一些合作伙伴已经口头上接到订单三星电子和已经开始生产的生产设备。如果订单所作的夏天,将提供生产设备,和在今年的晚下半年安装。这意味着加大 18 纳米 D RAM 生产大量的过程将开始后,夏天。

三星电子开始大批量生产 18-纳米 D-RAM
 
  大批量生产的 10 纳米范围 D RAM,这是比 20 纳米细,被视为牢不可破屏障之间从这个行业的专家。D RAM 保存电荷在电容,坐落在一个内存单元确认 0 和 1 通过这之间的区别。然而随着过程变得越细,它是更难追究电容器容量,因为细胞面积变得更小。如果区变小,垂直长度的圆形电容器需要增加。当这样做时,可以发生电容器崩溃的问题。除了举办容量,增加了噪音窄距离,由于隧道的电荷和困难,如关于曝光模式也是电容器的电容的需要解决的其他任务。
 
  听说三星电子内存业务部门升级进行大批量生产的 20 纳米 D RAM 和应用他们到 18-纳米 D RAM 的许多技术。单元格的创新结构,由三星电子应用技术的同时节省电容器容量超细介电层的形成和解决的一个问题关于隧道的电荷。三星电子还介绍了雕刻图案的一种电路通过 3 或 4 的图案的四模式技术。据悉,三星电子在取得了特别关注安全,早期 18 纳米 D RAM 不会去它的竞争对手。"它听到,三星电子已对此向其客户的特殊要求,收到的 18 纳米 D-RAM。"说这一行业的代表。
 
  三星电子正开始 18 纳米 D RAM、 大批量生产,生产成本与客户的竞争力差异将大大拓宽。当最糟糕的情况,D RAM 的价格正在下降,三星电子可以赚取利润,而它的竞争对手正在亏损。SK 海力士目前增加比例早日结束 20 纳米过程和发展 1 x-纳米 D RAM。它是听到微米尚未早日结束 20 纳米 D RAM、 大批量生产。
 
  "的结果来看,一个可以看到韩国企业和微米之间的技术差异是显著巨大。"说,金京敏是一名研究员,为大信证券股份有限公司专家说三星电子与微米 D RAM 技术的差异已扩大了 2 年以上。微米目前是在一种情况需要立即担心损失的地方。
 
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