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三星电子专注于 NAND 闪存生产 DRAM 投资减少计划

  • 来源:电脑问题网
  • 作者:硬件新闻
  • 审核:志强网络科技有限公司
  • 时间:2016-06-22 16:03
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  电脑问题网-硬件新闻 三星电子透露其 DRAM 投资减少计划正式于 6 月 20 日,专注于 NAND 闪存生产。Samsung 电子有限公司已正式宣布,以减少其今年在 DRAM 的投资。直到现在,一直都有传言,主要的半导体公司,包括三星电子将会减少 DRAM 投资。然而,它是三星电子直接透露其 DRAM 投资减少计划第一次。
 
  根据三星电子和投资银行业业内人士透露,6 月 20 日,三星电子举行投资者关系 (IR) 事件在上周和本周的韩国和美国的机构投资者。在红外事件从 14 到 16 (当地时间) 在纽约和波士顿举行,投资者注意到 3D NAND 闪存,有机发光二极管 (OLED) 和智能手机的销售业绩。尤其是,三星电子透露其计划减少投资在 DRAM 的事件在今年第一次。公司 NAND 闪存业务是一棵摇钱树,可以为在 DRAM 的低迷销售部门和促进半导体行业的总销售额。三星电子今年通过稳定成本减少显著增加 NAND 闪存部门中的边距。其营运利润率在 NAND 闪存部门今年将增长从去年的 17%至 25%。

三星电子专注于 NAND 闪存生产 DRAM 投资减少计划
 
  作为全球 NAND 闪存制造商,如英特尔和 SK 海力士,最近增加了的投资在 3D NAND 闪存生产设施,三星电子预计将扩大投资,其生产设施,以失去它的竞争对手。考虑到事实,NAND 闪存容量的新款智能手机将在今年下半年将增加一倍的第二个发布,其新的 NAND 闪存生产线建设是不可避免的。
 
  三星电子正在准备 nand 闪存市场的赢者全拿制度。公司拥有 V NAND 闪存生产线在西安,中国,和它正在考虑使用 17 行在华城工厂作为 3D NAND 只有一行。多数业内观察人士相信,它将产生 3D NAND 闪存芯片在其工厂在平泽,将开始运作,在明年年中。三星电子的一位官员说,"我们还没决定,然而在平泽工厂生产什么。由于大量的半导体市场的波动性,我们将看市场条件,直到明年上半年,并决定如何在最后一刻制造。
 
  三星电子位列 31.6%的市场份额,在去年年底的 NAND 闪存市场与其后的东芝 18.3%、 SanDisk 17.6%、 13.4%微米、 SK 海力士 10.7%,7.5%,旺宏 0.7%和 0.2%力晶半导体与英特尔。NAND 闪存市场是与竞争对手比 DRAM 市场相对拥挤。
 
  三星电子表示,"固态驱动器 (SSD) 的需求正在增加,基于 3D NAND 闪存芯片企业 (服务器和存储)。此外,SSD 的需求正在迅速变化与硬盘驱动器 (HDD) 的价格差异是由于从技术进步降低成本降低。"投资者有 3D NAND 闪存的期望较低直到去年但今年他们很欢迎这种变化。此外,他们还 OLED 投资和柔性显示技术感兴趣。李 Sae 希澈,新罕布什尔州投资分析师表示,"投资者预计智能手机使用柔性 OLED 显示器可以是改变了游戏规则,当他们可以同时支持平板电脑功能。他们有特别高的期望,为折叠式智能手机比预期。
 
  三星电子寻求在智能手机市场,已进入成熟期,利润最大化,而不是扩大市场份额,在美国的投资者积极额定性能的改善在它和移动 (IM) 司。同时,三星电子专注于下一代物联网平台 ARTIK,量子点和半导体封装在红外事件对机构投资者而言,在首尔汝矣岛的康拉德酒店举行。
 
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